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EFC6602R-TR

EFC6602R-TR

僅供參考

型號 EFC6602R-TR
PNEDA編號 EFC6602R-TR
描述 MOSFET 2N-CH EFCP
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,570
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 13 - 五月 18 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

EFC6602R-TR資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號EFC6602R-TR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
EFC6602R-TR, EFC6602R-TR數據表 (總頁數: 6, 大小: 749.65 KB)
PDFEFC6602R-TR數據表 封面
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EFC6602R-TR規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate, 2.5V Drive
漏極至源極電壓(Vdss)-
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs55nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大2W
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-XFBGA, FCBGA
供應商設備包裝EFCP2718-6CE-020

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18.3mOhm @ 8.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.4nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

540pF @ 10V

功率-最大

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

19mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

888pF @ 15V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.7nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1255pF @ 15V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 2mA (Typ)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

98nC @ 20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1900pF @ 1000V

功率-最大

250W

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

101mOhm @ 2.7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

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