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SGL60N90DG3YDTU

SGL60N90DG3YDTU

僅供參考

型號 SGL60N90DG3YDTU
PNEDA編號 SGL60N90DG3YDTU
描述 IGBT 900V 60A 180W TO264
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,002
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 19 - 五月 24 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SGL60N90DG3YDTU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SGL60N90DG3YDTU
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
SGL60N90DG3YDTU, SGL60N90DG3YDTU數據表 (總頁數: 7, 大小: 363.93 KB)
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SGL60N90DG3YDTU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
IGBT類型Trench
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)900V
當前-集電極(Ic)(最大值)60A
電流-集電極脈沖(Icm)120A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.7V @ 15V, 60A
功率-最大180W
開關能量-
輸入類型Standard
門禁費用260nC
25°C時的Td(開/關)-
測試條件-
反向恢復時間(trr)1.5µs
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-264-3, TO-264AA
供應商設備包裝TO-264-3

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

42A

電流-集電極脈沖(Icm)

60A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 20A

功率-最大

125W

開關能量

160µJ (on), 60µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

48nC

25°C時的Td(開/關)

20ns/165ns

測試條件

400V, 10A, 32Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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IGBT類型

Trench

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

電流-集電極脈沖(Icm)

200A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 40A

功率-最大

535W

開關能量

3.4mJ (on), 1.1mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

313nC

25°C時的Td(開/關)

116ns/286ns

測試條件

600V, 40A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

240ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

TO-247-3

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

7.8A

電流-集電極脈沖(Icm)

15.6A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 3A

功率-最大

52W

開關能量

62µJ (on), 39µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

13nC

25°C時的Td(開/關)

18ns/110ns

測試條件

400V, 3A, 100Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

77ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

電流-集電極脈沖(Icm)

60A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.15V @ 15V, 20A

功率-最大

227W

開關能量

580µJ (on), 280µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

46nC

25°C時的Td(開/關)

26ns/123ns

測試條件

400V, 20A, 15Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

292ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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25°C時的Td(開/關)

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