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S8550-B-AP

S8550-B-AP

僅供參考

型號 S8550-B-AP
PNEDA編號 S8550-B-AP
描述 DIODE
制造商 Micro Commercial Co
單價 請求報價
庫存 8,694
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 23 - 七月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S8550-B-AP資源

品牌 Micro Commercial Co
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S8550-B-AP
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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S8550-B-AP規格

制造商Micro Commercial Co
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)500mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)25V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic600mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止(最大值)200nA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce85 @ 50mA, 1V
功率-最大625mW
頻率-過渡150MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝TO-92

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極(Ic)(最大值)

800mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

250 @ 100mA, 1V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

260MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

供應商設備包裝

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

15A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

260V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 500mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

75 @ 3A, 5V

功率-最大

180W

頻率-過渡

30MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

4A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

500V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 1A, 3A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

5 @ 2A, 5V

功率-最大

50W

頻率-過渡

4MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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