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NJL0302DG

NJL0302DG

僅供參考

型號 NJL0302DG
PNEDA編號 NJL0302DG
描述 TRANS PNP 260V 15A TO264
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,868
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 3 - 五月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NJL0302DG資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NJL0302DG
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
NJL0302DG, NJL0302DG數據表 (總頁數: 6, 大小: 67.39 KB)
PDFNJL0281DG數據表 封面
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NJL0302DG規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)15A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)260V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1V @ 500mA, 5A
當前-集電極截止(最大值)10µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce75 @ 3A, 5V
功率-最大180W
頻率-過渡30MHz
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-264-5
供應商設備包裝TO-264

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

4V @ 80mA, 8A

當前-集電極截止(最大值)

10µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 4A, 4V

功率-最大

1.75W

頻率-過渡

4MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

800mV @ 400mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

200nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25 @ 500mA, 5V

功率-最大

1W

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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當前-集電極(Ic)(最大值)

6A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

110V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2.5V @ 5mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

100µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

5000 @ 5A, 4V

功率-最大

60W

頻率-過渡

60MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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ON Semiconductor

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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