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RGTH50TK65GC11

RGTH50TK65GC11

僅供參考

型號 RGTH50TK65GC11
PNEDA編號 RGTH50TK65GC11
描述 IGBT
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 10,704
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 16 - 六月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RGTH50TK65GC11資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RGTH50TK65GC11
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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RGTH50TK65GC11規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)26A
電流-集電極脈沖(Icm)100A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.1V @ 15V, 25A
功率-最大59W
開關能量-
輸入類型Standard
門禁費用49nC
25°C時的Td(開/關)27ns/94ns
測試條件400V, 25A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-3PFM, SC-93-3
供應商設備包裝TO-3PFM

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

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電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

功率-最大

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開關能量

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輸入類型

Standard

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

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工作溫度

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安裝類型

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 15A

功率-最大

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開關能量

570µJ

輸入類型

Standard

門禁費用

76nC

25°C時的Td(開/關)

32ns/234ns

測試條件

400V, 15A, 21Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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當前-集電極(Ic)(最大值)

6A

電流-集電極脈沖(Icm)

14A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

7V @ 15V, 3A

功率-最大

75W

開關能量

590µJ (on), 180µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

18.5nC

25°C時的Td(開/關)

46ns/220ns

測試條件

850V, 6A, 33Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Infineon Technologies

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.55V @ 15V, 2.5A

功率-最大

-

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

60nC

25°C時的Td(開/關)

35ns/225ns

測試條件

600V, 15A, 22Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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64A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 9A

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開關能量

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輸入類型

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門禁費用

27nC

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測試條件

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