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RGT40TS65DGC11

RGT40TS65DGC11

僅供參考

型號 RGT40TS65DGC11
PNEDA編號 RGT40TS65DGC11
描述 IGBT 650V 40A 144W TO-247N
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,744
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 26 - 五月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RGT40TS65DGC11資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RGT40TS65DGC11
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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RGT40TS65DGC11規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)40A
電流-集電極脈沖(Icm)60A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.1V @ 15V, 20A
功率-最大144W
開關能量-
輸入類型Standard
門禁費用40nC
25°C時的Td(開/關)22ns/75ns
測試條件400V, 20A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)58ns
工作溫度-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247N

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60A

電流-集電極脈沖(Icm)

200A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

5.2V @ 15V, 75A

功率-最大

250W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

75nC

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

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安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 27A

功率-最大

200W

開關能量

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輸入類型

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門禁費用

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工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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Trench

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

330V

當前-集電極(Ic)(最大值)

180A

電流-集電極脈沖(Icm)

450A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.4V @ 15V, 40A

功率-最大

390W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

169nC

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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當前-集電極(Ic)(最大值)

145A

電流-集電極脈沖(Icm)

239A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.1V @ 15V, 47A

功率-最大

625W

開關能量

1652µJ (on), 1389µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

200nC

25°C時的Td(開/關)

18ns/149ns

測試條件

600V, 47A, 4.7Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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