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RJH1CF6RDPQ-80#T2

RJH1CF6RDPQ-80#T2

僅供參考

型號 RJH1CF6RDPQ-80#T2
PNEDA編號 RJH1CF6RDPQ-80-T2
描述 IGBT 1200V 55A 227.2W TO247
制造商 Renesas Electronics America
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庫存 5,256
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 7 - 五月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RJH1CF6RDPQ-80#T2資源

品牌 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RJH1CF6RDPQ-80#T2
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
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RJH1CF6RDPQ-80#T2規格

制造商Renesas Electronics America
系列-
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)55A
電流-集電極脈沖(Icm)-
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.3V @ 15V, 30A
功率-最大227.2W
開關能量-
輸入類型Standard
門禁費用-
25°C時的Td(開/關)-
測試條件-
反向恢復時間(trr)-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247-3

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13A

電流-集電極脈沖(Icm)

25A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.9V @ 15V, 3A

功率-最大

50W

開關能量

46.5µJ (on), 23.5µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

12nC

25°C時的Td(開/關)

6.7ns/46ns

測試條件

390V, 3A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

30ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

200A

電流-集電極脈沖(Icm)

200A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 75A

功率-最大

375W

開關能量

1.25mJ (on), 1.26mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

152nC

25°C時的Td(開/關)

44ns/208ns

測試條件

400V, 75A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

134ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-4

供應商設備包裝

TO-247-4L

制造商

IXYS

系列

-

IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50A

電流-集電極脈沖(Icm)

150A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.5V @ 15V, 28A

功率-最大

250W

開關能量

2mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

92nC

25°C時的Td(開/關)

30ns/180ns

測試條件

960V, 28A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-3P-3, SC-65-3

供應商設備包裝

TO-3P

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

390V

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46A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.6V @ 4V, 10A

功率-最大

250W

開關能量

-

輸入類型

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門禁費用

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300V, 1kOhm, 5V

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