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QS5Y1TR

QS5Y1TR

僅供參考

型號 QS5Y1TR
PNEDA編號 QS5Y1TR
描述 TRANS NPN/PNP 30V 3A TSMT5
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,970
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 13 - 六月 18 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

QS5Y1TR資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號QS5Y1TR
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
QS5Y1TR, QS5Y1TR數據表 (總頁數: 8, 大小: 1,384.23 KB)
PDFQS5Y1TR數據表 封面
QS5Y1TR數據表 頁面 2 QS5Y1TR數據表 頁面 3 QS5Y1TR數據表 頁面 4 QS5Y1TR數據表 頁面 5 QS5Y1TR數據表 頁面 6 QS5Y1TR數據表 頁面 7 QS5Y1TR數據表 頁面 8

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QS5Y1TR規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN, PNP (Emitter Coupled)
當前-集電極(Ic)(最大值)3A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)30V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic400mV @ 50mA, 1A
當前-集電極截止(最大值)1µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce200 @ 500mA, 2V
功率-最大1.25W
頻率-過渡300MHz, 270MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
供應商設備包裝TSMT5

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晶體管類型

NPN, PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 1V

功率-最大

330mW

頻率-過渡

250MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 100µA, 1mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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晶體管類型

2 PNP (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

650mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

125 @ 2mA, 5V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

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2 PNP (Dual) Matched Pair

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200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 1V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

250MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

供應商設備包裝

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晶體管類型

2 NPN (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

25V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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功率-最大

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