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PUMD2,165

PUMD2,165

僅供參考

型號 PUMD2,165
PNEDA編號 PUMD2-165
描述 TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 7,542
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 20 - 五月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PUMD2資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PUMD2,165
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置
數據表
PUMD2, PUMD2數據表 (總頁數: 19, 大小: 1,124.59 KB)
PDFPUMD2/DG/B3數據表 封面
PUMD2/DG/B3數據表 頁面 2 PUMD2/DG/B3數據表 頁面 3 PUMD2/DG/B3數據表 頁面 4 PUMD2/DG/B3數據表 頁面 5 PUMD2/DG/B3數據表 頁面 6 PUMD2/DG/B3數據表 頁面 7 PUMD2/DG/B3數據表 頁面 8 PUMD2/DG/B3數據表 頁面 9 PUMD2/DG/B3數據表 頁面 10 PUMD2/DG/B3數據表 頁面 11

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PUMD2規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列-
晶體管類型1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)22kOhms
電阻-發射極基(R2)22kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce60 @ 5mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic150mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)1µA
頻率-過渡-
功率-最大300mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝6-TSSOP

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當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

電阻-基本(R1)

-

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

頻率-過渡

-

功率-最大

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

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制造商

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系列

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晶體管類型

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

4.7kOhms

電阻-發射極基(R2)

47kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

-

功率-最大

250mW

安裝類型

Surface Mount

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晶體管類型

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10kOhms

電阻-發射極基(R2)

10kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

250MHz

功率-最大

150mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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制造商

Panasonic Electronic Components

系列

-

晶體管類型

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

80mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

4.7kOhms, 22kOhms

電阻-發射極基(R2)

4.7kOhms, 47kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 5mA, 10V / 80 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

150MHz, 80MHz

功率-最大

125mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-963

供應商設備包裝

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EMF5XV6T5G

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制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

1 NPN Pre-Biased, 1 PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA, 500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V, 12V

電阻-基本(R1)

47kOhms

電阻-發射極基(R2)

47kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 10V / 270 @ 10mA, 2V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

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功率-最大

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