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UMH11N-TP

UMH11N-TP

僅供參考

型號 UMH11N-TP
PNEDA編號 UMH11N-TP
描述 TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT363
制造商 Micro Commercial Co
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庫存 24,192
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 20 - 五月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

UMH11N-TP資源

品牌 Micro Commercial Co
ECAD Module ECAD
制造商零件編號UMH11N-TP
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置
數據表
UMH11N-TP, UMH11N-TP數據表 (總頁數: 3, 大小: 237.58 KB)
PDFUMH11N-TP數據表 封面
UMH11N-TP數據表 頁面 2 UMH11N-TP數據表 頁面 3

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UMH11N-TP規格

制造商Micro Commercial Co
系列-
晶體管類型2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)50mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)10kOhms
電阻-發射極基(R2)10kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce30 @ 5mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)500nA
頻率-過渡250MHz
功率-最大150mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝SOT-363

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2 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

-

功率-最大

300mW

安裝類型

Surface Mount

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晶體管類型

1 NPN Pre-Biased, 1 PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA, 500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V, 12V

電阻-基本(R1)

10kOhms

電阻-發射極基(R2)

10kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

250MHz, 280MHz

功率-最大

300mW

安裝類型

Surface Mount

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Rohm Semiconductor

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晶體管類型

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10kOhms

電阻-發射極基(R2)

47kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

68 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

250MHz

功率-最大

300mW

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晶體管類型

1 NPN Pre-Biased, 1 PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA, 500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V, 40V

電阻-基本(R1)

2.2kOhms

電阻-發射極基(R2)

2.2kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 20mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 500µA, 10mA / 350mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA

頻率-過渡

300MHz

功率-最大

300mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-563, SOT-666

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

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2.2kOhms

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47kOhms

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