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PUMD2,125

PUMD2,125

僅供參考

型號 PUMD2,125
PNEDA編號 PUMD2-125
描述 TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 2,106
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 19 - 五月 24 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PUMD2資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PUMD2,125
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置
數據表
PUMD2, PUMD2數據表 (總頁數: 19, 大小: 1,124.59 KB)
PDFPUMD2/DG/B3數據表 封面
PUMD2/DG/B3數據表 頁面 2 PUMD2/DG/B3數據表 頁面 3 PUMD2/DG/B3數據表 頁面 4 PUMD2/DG/B3數據表 頁面 5 PUMD2/DG/B3數據表 頁面 6 PUMD2/DG/B3數據表 頁面 7 PUMD2/DG/B3數據表 頁面 8 PUMD2/DG/B3數據表 頁面 9 PUMD2/DG/B3數據表 頁面 10 PUMD2/DG/B3數據表 頁面 11

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PUMD2規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列-
晶體管類型1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)22kOhms
電阻-發射極基(R2)22kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce60 @ 5mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic150mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)1µA
頻率-過渡-
功率-最大300mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝6-TSSOP

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100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

2.2kOhms

電阻-發射極基(R2)

47kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

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50V

電阻-基本(R1)

4.7kOhms

電阻-發射極基(R2)

47kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

22kOhms

電阻-發射極基(R2)

22kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

56 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

-

功率-最大

300mW

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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