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DDA123JU-7

DDA123JU-7

僅供參考

型號 DDA123JU-7
PNEDA編號 DDA123JU-7
描述 TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 4,122
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 20 - 五月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DDA123JU-7資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DDA123JU-7
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置
數據表
DDA123JU-7, DDA123JU-7數據表 (總頁數: 7, 大小: 416.03 KB)
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DDA123JU-7規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
晶體管類型2 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)2.2kOhms
電阻-發射極基(R2)47kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce80 @ 10mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止(最大值)500nA
頻率-過渡250MHz
功率-最大200mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝SOT-363

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V, 30V

電阻-基本(R1)

10kOhms

電阻-發射極基(R2)

10kOhms, 47kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

35 @ 5mA, 10V / 80 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA / 1.2V @ 330µA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

500nA

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電阻-基本(R1)

10kOhms

電阻-發射極基(R2)

47kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

-

頻率-過渡

200MHz

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250mV @ 1mA, 10mA / 250mV @ 300µA, 10mA

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