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NXH80T120L2Q0S2G

NXH80T120L2Q0S2G

僅供參考

型號 NXH80T120L2Q0S2G
PNEDA編號 NXH80T120L2Q0S2G
描述 PIM 1200V, 80A TNPC CUSTO
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,344
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 24 - 七月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NXH80T120L2Q0S2G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NXH80T120L2Q0S2G
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
NXH80T120L2Q0S2G, NXH80T120L2Q0S2G數據表 (總頁數: 13, 大小: 186.38 KB)
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NXH80T120L2Q0S2G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
配置Three Level Inverter
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)57A
功率-最大125W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.85V @ 15V, 80A
當前-集電極截止(最大值)300µA
輸入電容(Cies)@ Vce19.4nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻Yes
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Module
供應商設備包裝18-PIM/Q0PACK (55x32.5)

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77A

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347W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3V @ 15V, 40A

當前-集電極截止(最大值)

500µA

輸入電容(Cies)@ Vce

3.46nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

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輸入電容(Cies)@ Vce

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.4V @ 15V, 250A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

69nF @ 25V

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