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FS200R12A1T4H5BOMA1

FS200R12A1T4H5BOMA1

僅供參考

型號 FS200R12A1T4H5BOMA1
PNEDA編號 FS200R12A1T4H5BOMA1
描述 IGBT MODULES
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 3,960
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 1 - 六月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FS200R12A1T4H5BOMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FS200R12A1T4H5BOMA1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊

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FS200R12A1T4H5BOMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列*
IGBT類型-
配置-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
功率-最大-
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic-
當前-集電極截止(最大值)-
輸入電容(Cies)@ Vce-
輸入-
NTC熱敏電阻-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

600A

功率-最大

3350W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.05V @ 15V, 600A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

37nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

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系列

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Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1700V

當前-集電極(Ic)(最大值)

145A

功率-最大

1000W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.9V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

16nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

Module

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Powerex Inc.

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IGBTMOD™

IGBT類型

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配置

Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

300A

功率-最大

1130W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 300A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

70nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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Module

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Module

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IGBT類型

Trench

配置

Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

150A

功率-最大

520W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 150A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

41nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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制造商

Infineon Technologies

系列

*

IGBT類型

-

配置

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

功率-最大

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

-

NTC熱敏電阻

-

工作溫度

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