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NVMFD5C650NLT1G

NVMFD5C650NLT1G

僅供參考

型號 NVMFD5C650NLT1G
PNEDA編號 NVMFD5C650NLT1G
描述 MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,088
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 11 - 五月 16 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NVMFD5C650NLT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NVMFD5C650NLT1G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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NVMFD5C650NLT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列Automotive, AEC-Q101
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)21A (Ta), 111A (Tc)
Rds On(Max)@ Id,Vgs4.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.2V @ 98µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs16nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2546pF @ 25V
功率-最大3.5W (Ta), 125W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerTDFN
供應商設備包裝8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

86A, 303A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.75mOhm @ 27A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 35µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1735pF @ 13V

功率-最大

156W

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A, 13A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

21mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

710pF @ 15V

功率-最大

1.8W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

660mA, 410mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

385mOhm @ 660mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

600mV @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.2nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

270mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

16mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

85nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2390pF @ 20V

功率-最大

3.25W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

390mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.2Ohm @ 390mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 1.5µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.62nC @ 4.5V

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