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DMG6602SVTX-7

DMG6602SVTX-7

僅供參考

型號 DMG6602SVTX-7
PNEDA編號 DMG6602SVTX-7
描述 MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 6,102
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 13 - 七月 18 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMG6602SVTX-7資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMG6602SVTX-7
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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DMG6602SVTX-7規格

制造商Diodes Incorporated
系列Automotive, AEC-Q101
FET類型N and P-Channel Complementary
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3.4A (Ta), 2.8A (Ta)
Rds On(Max)@ Id,Vgs60mOhm @ 3.1A, 10V, 95mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs13nC @ 10V, 9nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds400pF @ 15V, 420pF @ 15V
功率-最大840mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝TSOT-26

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FET類型

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.4A, 8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

21mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.7V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

2.7W, 3.1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 5.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.8V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

720pF @ 15V

功率-最大

900mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

390mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.2Ohm @ 390mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 1.5µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.62nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

56pF @ 15V

功率-最大

250mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Diodes Incorporated

系列

-

FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

1.3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

56.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3315pF @ 6V

功率-最大

2.67W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

17mOhm @ 9.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

57nC @ 4.5V

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