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NTMFD4C88NT3G

NTMFD4C88NT3G

僅供參考

型號 NTMFD4C88NT3G
PNEDA編號 NTMFD4C88NT3G
描述 MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,706
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 15 - 五月 20 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTMFD4C88NT3G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTMFD4C88NT3G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
NTMFD4C88NT3G, NTMFD4C88NT3G數據表 (總頁數: 12, 大小: 127.78 KB)
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NTMFD4C88NT3G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)11.7A, 14.2A
Rds On(Max)@ Id,Vgs5.4mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs22.2nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1252pF @ 15V
功率-最大1.1W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerTDFN
供應商設備包裝8-DFN (5x6)

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

29mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

955pF @ 20V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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FET類型

2 N-Channel (Dual) Common Source

FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2060pF @ 50V

功率-最大

2.2W

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

34.9mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1075pF @ 30V

功率-最大

35W

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

24V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

23mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

-

工作溫度

150°C (TJ)

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