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NTF3055L175T1

NTF3055L175T1

僅供參考

型號 NTF3055L175T1
PNEDA編號 NTF3055L175T1
描述 MOSFET N-CH 60V 2A SOT223
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,822
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 24 - 七月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTF3055L175T1資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTF3055L175T1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
NTF3055L175T1, NTF3055L175T1數據表 (總頁數: 6, 大小: 109.28 KB)
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NTF3055L175T1規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs175mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs10nC @ 5V
Vgs(最大)±15V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds270pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)1.3W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SOT-223 (TO-261)
包裝/箱TO-261-4, TO-261AA

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17.2nC @ 10V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

676pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

760mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.5mOhm @ 40A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

136nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4850pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

190mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.5Ohm @ 190mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.4nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

20pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

325mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.1mOhm @ 27.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

57nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4040pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

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