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NP55N03SUG-E1-AY

NP55N03SUG-E1-AY

僅供參考

型號 NP55N03SUG-E1-AY
PNEDA編號 NP55N03SUG-E1-AY
描述 MOSFET N-CH 30V 55A TO-252
制造商 Renesas Electronics America
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庫存 3,204
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 20 - 七月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NP55N03SUG-E1-AY資源

品牌 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NP55N03SUG-E1-AY
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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NP55N03SUG-E1-AY規格

制造商Renesas Electronics America
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)55A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs5mOhm @ 28A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs93nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds5300pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)1.2W (Ta), 77W (Tc)
工作溫度175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-252 (MP-3ZK)
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

27.6A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 8V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.5mOhm @ 20A, 8V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.2nC @ 4.5V

Vgs(最大)

+10V, -8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1350pF @ 12.5V

FET功能

-

功耗(最大值)

3W (Ta)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

92A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.8mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

38.7nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2651pF @ 30V

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-

功耗(最大值)

149W (Tc)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A (Ta), 330A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

0.9mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

143nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8862pF @ 25V

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功耗(最大值)

3.8W (Ta), 167W (Tc)

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