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IXBT12N300HV

IXBT12N300HV IXBT12N300HV

僅供參考

型號 IXBT12N300HV
PNEDA編號 IXBT12N300HV
描述 IGBT 3000V 30A 160W TO268
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 7,812
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 21 - 四月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXBT12N300HV資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXBT12N300HV
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
IXBT12N300HV, IXBT12N300HV數據表 (總頁數: 5, 大小: 248.19 KB)
PDFIXBT12N300HV數據表 封面
IXBT12N300HV數據表 頁面 2 IXBT12N300HV數據表 頁面 3 IXBT12N300HV數據表 頁面 4 IXBT12N300HV數據表 頁面 5

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IXBT12N300HV規格

制造商IXYS
系列BIMOSFET™
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)3000V
當前-集電極(Ic)(最大值)30A
電流-集電極脈沖(Icm)100A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic3.2V @ 15V, 12A
功率-最大160W
開關能量-
輸入類型Standard
門禁費用62nC
25°C時的Td(開/關)64ns/180ns
測試條件1250V, 12A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)1.4µs
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
供應商設備包裝TO-268

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60A

電流-集電極脈沖(Icm)

200A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 30A

功率-最大

167W

開關能量

400µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

100nC

25°C時的Td(開/關)

18ns/130ns

測試條件

400V, 30A, 3.3Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

25ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

ISOPLUS247™

制造商

IXYS

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IGBT類型

PT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

290A

電流-集電極脈沖(Icm)

800A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 160A

功率-最大

940W

開關能量

3.5mJ (on), 1.3mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

422nC

25°C時的Td(開/關)

52ns/197ns

測試條件

400V, 80A, 1Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

PLUS247™-3

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制造商

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系列

-

IGBT類型

Trench Field Stop

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

200A

電流-集電極脈沖(Icm)

225A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 75A

功率-最大

833W

開關能量

8620µJ (on), 11400µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

425nC

25°C時的Td(開/關)

60ns/620ns

測試條件

800V, 75A, 1Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-264-3, TO-264AA

供應商設備包裝

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制造商

Infineon Technologies

系列

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

14A

電流-集電極脈沖(Icm)

45A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 15A

功率-最大

33.3W

開關能量

130µJ (on), 40µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

38nC

25°C時的Td(開/關)

17ns/150ns

測試條件

400V, 7.5A, 39Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

50ns

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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BIMOSFET™

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1700V

當前-集電極(Ic)(最大值)

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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門禁費用

65nC

25°C時的Td(開/關)

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測試條件

1360V, 10A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

25ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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