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NCP81075DR2G

NCP81075DR2G

僅供參考

型號 NCP81075DR2G
PNEDA編號 NCP81075DR2G
描述 HIGH PERFORMANCE DUAL MOS
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,668
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 17 - 七月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NCP81075DR2G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NCP81075DR2G
類別半導體電源管理ICPMIC-柵極驅動器
數據表
NCP81075DR2G, NCP81075DR2G數據表 (總頁數: 15, 大小: 322.18 KB)
PDFNCP81075MTTXG數據表 封面
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NCP81075DR2G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
驅動配置High-Side or Low-Side
頻道類型Independent
驅動程序數量2
門類型N-Channel MOSFET
電壓-供電8.5V ~ 20V
邏輯電壓-VIL,VIH0.8V, 2.7V
電流-峰值輸出(源極,接收器)4A, 4A
輸入類型Non-Inverting
高壓側-最大(自舉)200V
上升/下降時間(典型值)8ns, 7ns
工作溫度-40°C ~ 140°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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制造商

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驅動配置

Low-Side

頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

4.5V ~ 16V

邏輯電壓-VIL,VIH

1.22V, 2.08V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

6A, 6A

輸入類型

Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

20ns, 20ns

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-WDFN Exposed Pad

供應商設備包裝

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系列

-

驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

Synchronous

驅動程序數量

2

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

4.5V ~ 15V

邏輯電壓-VIL,VIH

1V, 2V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

2.7A, 2.4A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

28V

上升/下降時間(典型值)

50ns, 40ns

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

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Texas Instruments

制造商

系列

-

驅動配置

Low-Side

頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

3.5V ~ 14V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.2V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

3A, 5A

輸入類型

Inverting, Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

14ns, 12ns

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

10-WDFN Exposed Pad

供應商設備包裝

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制造商

Renesas Electronics America Inc.

系列

-

驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

9V ~ 15V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.2V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

1.4A, 1.3A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

80V

上升/下降時間(典型值)

5ns, 5ns

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

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制造商

Infineon Technologies

系列

-

驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

Independent

驅動程序數量

6

門類型

IGBT, N-Channel MOSFET

電壓-供電

10V ~ 20V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.2V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

250mA, 500mA

輸入類型

Inverting

高壓側-最大(自舉)

600V

上升/下降時間(典型值)

80ns, 40ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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