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NCD5701BDR2G

NCD5701BDR2G

僅供參考

型號 NCD5701BDR2G
PNEDA編號 NCD5701BDR2G
描述 HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,862
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 18 - 五月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NCD5701BDR2G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NCD5701BDR2G
類別半導體電源管理ICPMIC-柵極驅動器
數據表
NCD5701BDR2G, NCD5701BDR2G數據表 (總頁數: 20, 大小: 336.37 KB)
PDFNCD5701BDR2G數據表 封面
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NCD5701BDR2G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
驅動配置Low-Side
頻道類型Single
驅動程序數量1
門類型IGBT
電壓-供電20V
邏輯電壓-VIL,VIH-
電流-峰值輸出(源極,接收器)7.8A, 6.8A
輸入類型-
高壓側-最大(自舉)-
上升/下降時間(典型值)18ns, 19ns
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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門類型

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電壓-供電

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邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.2V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

1A, 1A

輸入類型

Inverting, Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

108V

上升/下降時間(典型值)

20ns, 20ns

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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驅動配置

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頻道類型

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驅動程序數量

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門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

9V ~ 14V

邏輯電壓-VIL,VIH

4V, 7V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

2A, 2A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

114V

上升/下降時間(典型值)

10ns, 10ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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系列

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驅動配置

Low-Side

頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

4V ~ 15V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.1V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

4A, 4A

輸入類型

Inverting, Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

32ns, 26ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

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系列

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驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

IGBT, N-Channel MOSFET

電壓-供電

10V ~ 20V

邏輯電壓-VIL,VIH

6V, 9.5V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

250mA, 500mA

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

600V

上升/下降時間(典型值)

80ns, 40ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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驅動配置

Low-Side

頻道類型

Single

驅動程序數量

1

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

4V ~ 5.25V

邏輯電壓-VIL,VIH

-

電流-峰值輸出(源極,接收器)

4A, 4A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

20ns, 20ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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