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HIP2100IR4T

HIP2100IR4T

僅供參考

型號 HIP2100IR4T
PNEDA編號 HIP2100IR4T
描述 IC DRIVER HALF BRIDGE 100V 12DFN
制造商 Renesas Electronics America Inc.
單價 請求報價
庫存 3,960
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 13 - 六月 18 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

HIP2100IR4T資源

品牌 Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號HIP2100IR4T
類別半導體電源管理ICPMIC-柵極驅動器
數據表
HIP2100IR4T, HIP2100IR4T數據表 (總頁數: 13, 大小: 742.81 KB)
PDFHIP2100IRT數據表 封面
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HIP2100IR4T規格

制造商Renesas Electronics America Inc.
系列-
驅動配置Half-Bridge
頻道類型Independent
驅動程序數量2
門類型N-Channel MOSFET
電壓-供電9V ~ 14V
邏輯電壓-VIL,VIH4V, 7V
電流-峰值輸出(源極,接收器)2A, 2A
輸入類型Non-Inverting
高壓側-最大(自舉)114V
上升/下降時間(典型值)10ns, 10ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱12-VFDFN Exposed Pad
供應商設備包裝12-DFN (4x4)

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驅動配置

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頻道類型

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驅動程序數量

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門類型

N-Channel, P-Channel MOSFET

電壓-供電

4.5V ~ 16V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

2A, 2A

輸入類型

Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

18ns, 18ns

工作溫度

0°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

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系列

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驅動配置

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頻道類型

Single

驅動程序數量

1

門類型

IGBT, N-Channel MOSFET

電壓-供電

10V ~ 20V

邏輯電壓-VIL,VIH

6V, 9.5V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

290mA, 600mA

輸入類型

Inverting

高壓側-最大(自舉)

600V

上升/下降時間(典型值)

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驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

9V ~ 14V

邏輯電壓-VIL,VIH

2.3V, -

電流-峰值輸出(源極,接收器)

1A, 1A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

118V

上升/下降時間(典型值)

990ns, 715ns

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

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系列

-

驅動配置

Low-Side

頻道類型

Single

驅動程序數量

1

門類型

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

電壓-供電

4.5V ~ 18V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.4V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

9A, 9A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

60ns, 60ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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供應商設備包裝

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制造商

Renesas Electronics America Inc.

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-

驅動配置

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頻道類型

Synchronous

驅動程序數量

2

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

邏輯電壓-VIL,VIH

1V, 2V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

-, 4A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

36V

上升/下降時間(典型值)

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