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MX2N4860

MX2N4860

僅供參考

型號 MX2N4860
PNEDA編號 MX2N4860
描述 N CHANNEL JFET
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 6,408
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 13 - 五月 18 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MX2N4860資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MX2N4860
類別半導體晶體管晶體管-JFET

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MX2N4860規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/385
FET類型N-Channel
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)30V
漏極至源極電壓(Vdss)30V
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)100mA @ 15V
電流消耗(Id)-最大-
電壓-截止(VGS關閉)@ ID6V @ 500pA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds18pF @ 10V
電阻-RDS(On)40 Ohms
功率-最大360mW
工作溫度-65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝TO-18 (TO-206AA)

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Microsemi Corporation

系列

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

40V

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

175mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

10V @ 500pA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

18pF @ 10V

電阻-RDS(On)

25 Ohms

功率-最大

360mW

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

供應商設備包裝

TO-18

制造商

NXP USA Inc.

系列

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FET類型

P-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

30V

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

1.5mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

800mV @ 10nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8pF @ 10V (VGS)

電阻-RDS(On)

300 Ohms

功率-最大

300mW

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

8mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

800mV @ 0.5nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

10pF @ 10V (VGS)

電阻-RDS(On)

60 Ohms

功率-最大

360mW

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

供應商設備包裝

TO-18

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

FET類型

-

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

-

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

-

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

40V

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

20mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

5V @ 0.5nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

40 Ohms

功率-最大

250mW

工作溫度

150°C (TJ)

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