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PMBFJ177,215

PMBFJ177,215

僅供參考

型號 PMBFJ177,215
PNEDA編號 PMBFJ177-215
描述 JFET P-CH 30V 0.3W SOT23
制造商 NXP
單價
1 ---------- $2.4138
250 ---------- $2.3007
500 ---------- $2.1875
1,000 ---------- $2.0744
2,500 ---------- $1.9801
5,000 ---------- $1.8858
庫存 119,293
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 5 - 五月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PMBFJ177資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PMBFJ177,215
類別半導體晶體管晶體管-JFET
數據表
PMBFJ177, PMBFJ177數據表 (總頁數: 10, 大小: 165.27 KB)
PDFPMBFJ175數據表 封面
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PMBFJ177規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
FET類型P-Channel
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)30V
漏極至源極電壓(Vdss)30V
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)1.5mA @ 15V
電流消耗(Id)-最大-
電壓-截止(VGS關閉)@ ID800mV @ 10nA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds8pF @ 10V (VGS)
電阻-RDS(On)300 Ohms
功率-最大300mW
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23 (TO-236AB)

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系列

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FET類型

-

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

-

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

-

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-71-6

供應商設備包裝

TO-71

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

35V

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

25mA @ 20V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

10pF @ 12V (VGS)

電阻-RDS(On)

60 Ohms

功率-最大

310mW

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

供應商設備包裝

TO-92-3

MMBFJ175

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

P-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

30V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

7mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

3V @ 10nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

125 Ohms

功率-最大

225mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

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制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

30V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

5mA @ 20V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

500mV @ 1nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

14pF @ 20V

電阻-RDS(On)

100 Ohms

功率-最大

625mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

供應商設備包裝

TO-92-3

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制造商

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系列

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FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

35V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

2mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

500mV @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

100 Ohms

功率-最大

625mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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