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MT48H32M16LFCJ-75 L IT:A TR

MT48H32M16LFCJ-75 L IT:A TR

僅供參考

型號 MT48H32M16LFCJ-75 L IT:A TR
PNEDA編號 MT48H32M16LFCJ-75-L-IT-A-TR
描述 IC DRAM 512M PARALLEL 54VFBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 6,660
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 16 - 六月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT48H32M16LFCJ-75 L IT:A TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT48H32M16LFCJ-75 L IT:A TR
類別半導體內存IC內存
數據表
MT48H32M16LFCJ-75 L IT:A TR, MT48H32M16LFCJ-75 L IT:A TR數據表 (總頁數: 73, 大小: 2,402.97 KB)
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MT48H32M16LFCJ-75 L IT:A TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - Mobile LPSDR
內存大小512Mb (32M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率133MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間6ns
電壓-供電1.7V ~ 1.95V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱54-VFBGA
供應商設備包裝54-VFBGA (10x11.5)

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

4.5Mb (128K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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系列

-

內存類型

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內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

36Mb (1M x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.1ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

72Mb (2M x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

167MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.4ns

電壓-供電

2.375V ~ 2.625V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

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包裝/箱

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - Mobile LPDDR3

內存大小

8Gb (512M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.14V ~ 1.95V

工作溫度

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包裝/箱

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