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MT46H16M32LFB5-6 AIT:C TR

MT46H16M32LFB5-6 AIT:C TR

僅供參考

型號 MT46H16M32LFB5-6 AIT:C TR
PNEDA編號 MT46H16M32LFB5-6-AIT-C-TR
描述 IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 20,952
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 23 - 六月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT46H16M32LFB5-6 AIT:C TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT46H16M32LFB5-6 AIT:C TR
類別半導體內存IC內存

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MT46H16M32LFB5-6 AIT:C TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - Mobile LPDDR
內存大小512Mb (16M x 32)
內存接口Parallel
時鐘頻率166MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間5.0ns
電壓-供電1.7V ~ 1.95V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱90-VFBGA
供應商設備包裝90-VFBGA (8x13)

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Micron Technology Inc.

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內存格式

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FLASH - NAND, Mobile LPDRAM

內存大小

1Gb (64M x 16)(NAND), 512Mb (32M x 16)(LPDRAM)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

SPI - Quad I/O, QPI

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

85ns

訪問時間

85ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-55°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Through Hole

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

EEPROM

內存大小

8Kb (1K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

20MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

8Mb (1M x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

80MHz

寫周期-字,頁

30µs, 3ms

訪問時間

-

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工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

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