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MMBT3904LT1G

MMBT3904LT1G MMBT3904LT1G

僅供參考

型號 MMBT3904LT1G
PNEDA編號 MMBT3904LT1G
描述 TRANS NPN 40V 0.2A SOT23
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 26,837,466
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 6 - 七月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MMBT3904LT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MMBT3904LT1G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MMBT3904LT1G, MMBT3904LT1G數據表 (總頁數: 8, 大小: 197.08 KB)
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MMBT3904LT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)200mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)40V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 10mA, 1V
功率-最大300mW
頻率-過渡300MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3 (TO-236)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 350mA, 3.5A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 1A, 2V

功率-最大

1.1W

頻率-過渡

90MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-23-6

供應商設備包裝

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制造商

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

180mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

250 @ 500mA, 2V

功率-最大

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6A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 600mA, 6A

當前-集電極截止(最大值)

400µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 300mA, 4V

功率-最大

65W

頻率-過渡

3MHz

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-65°C ~ 150°C (TJ)

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NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 500mA, 1V

功率-最大

3W

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

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當前-集電極(Ic)(最大值)

16A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

250V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 3.2A, 16A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 8A, 5V

功率-最大

200W

頻率-過渡

4MHz

工作溫度

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