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MT40A1G8WE-075E AIT:B

MT40A1G8WE-075E AIT:B

僅供參考

型號 MT40A1G8WE-075E AIT:B
PNEDA編號 MT40A1G8WE-075E-AIT-B
描述 IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 7,398
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 22 - 七月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT40A1G8WE-075E AIT:B資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT40A1G8WE-075E AIT:B
類別半導體內存IC內存
數據表
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MT40A1G8WE-075E AIT:B規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR4
內存大小8Gb (1G x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率1.33GHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電1.14V ~ 1.26V
工作溫度-40°C ~ 95°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱78-TFBGA
供應商設備包裝78-FBGA (8x12)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

6ns

電壓-供電

3.15V ~ 3.45V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

內存大小

4.5Mb (128K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

100MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

119-PBGA (14x22)

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

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內存格式

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技術

FLASH - NOR

內存大小

8Mb (1M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

80ns

訪問時間

80ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

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內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

256Mb (32M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O, QPI

時鐘頻率

66MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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訪問時間

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電壓-供電

1.71V ~ 1.89V

工作溫度

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安裝類型

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供應商設備包裝

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