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MT40A512M16LY-062E IT:E TR數據表

MT40A512M16LY-062E IT:E TR數據表
總頁數: 391
大小: 11,348.46 KB
Micron Technology Inc.
此數據表涵蓋了61零件號: MT40A512M16LY-062E IT:E TR, MT40A512M16LY-062E IT:E, MT40A2G4WE-075E:B, MT40A1G8WE-083E AUT:B, MT40A512M16HA-083E IT:A, MT40A512M16HA-083E:A, MT40A2G4WE-075E:D TR, MT40A1G8PM-083E:A TR, MT40A2G4WE-075E:D, MT40A1G8PM-083E:A, MT40A1G8WE-083E:B TR, MT40A1G8WE-083E AUT:B TR, MT40A512M16HA-083E:A TR, MT40A512M16HA-083E IT:A TR, MT40A2G4PM-083E:A, MT40A512M16JY-083E AUT:B, MT40A512M16JY-083E AUT:B TR, MT40A1G8WE-083E AAT:B, MT40A512M16JY-083E AAT:B, MT40A512M16JY-083E AAT:B TR, MT40A1G8WE-083E AAT:B TR, MT40A512M16JY-062E IT:B, MT40A512M16JY-062E IT:B TR, MT40A2G4WE-083E:B, MT40A512M16JY-075E AIT:B, MT40A1G8WE-083E AIT:B, MT40A1G8WE-075E AIT:B, MT40A2G4WE-075E:B TR, MT40A512M16JY-083E AIT:B, MT40A512M16JY-083E AIT:B TR, MT40A1G8WE-083E AIT:B TR, MT40A512M16JY-075E AIT:B TR, MT40A1G8WE-075E AIT:B TR, MT40A1G8WE-075E IT:B, MT40A512M16JY-083E IT:B TR, MT40A1G8WE-083E IT:B TR, MT40A512M16JY-075E IT:B TR, MT40A1G8WE-075E IT:B TR, MT40A512M16JY-075E IT:B, MT40A2G4SA-062E:E , etc.
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···
MT40A512M16LY-062E IT:E TR

Micron Technology Inc.

MT40A512M16LY-062E IT:E TR

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - DDR4

內存大小

8Gb (512M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

1.6GHz

寫周期-字，頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.14V ~ 1.26V

工作溫度

-40°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

96-TFBGA

供應商設備包裝

96-FBGA (7.5x13.5)
MT40A512M16LY-062E IT:E

Micron Technology Inc.

MT40A512M16LY-062E IT:E

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - DDR4

內存大小

8Gb (512M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

1.6GHz

寫周期-字，頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.14V ~ 1.26V

工作溫度

-40°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

96-TFBGA

供應商設備包裝

96-FBGA (7.5x13.5)
MT40A2G4WE-075E:B

Micron Technology Inc.

MT40A2G4WE-075E:B

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - DDR4

內存大小

8Gb (2G x 4)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

1.33GHz

寫周期-字，頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.14V ~ 1.26V

工作溫度

0°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

78-TFBGA

供應商設備包裝

78-FBGA (8x12)
MT40A1G8WE-083E AUT:B

Micron Technology Inc.

MT40A1G8WE-083E AUT:B

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - DDR4

內存大小

8Gb (1G x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

1.2GHz

寫周期-字，頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.14V ~ 1.26V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

78-TFBGA

供應商設備包裝

78-FBGA (8x12)
MT40A512M16HA-083E IT:A

Micron Technology Inc.

MT40A512M16HA-083E IT:A

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - DDR4

內存大小

8Gb (512M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

1.2GHz

寫周期-字，頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.14V ~ 1.26V

工作溫度

-40°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

96-TFBGA

供應商設備包裝

96-FBGA (9x14)
MT40A512M16HA-083E:A

Micron Technology Inc.

MT40A512M16HA-083E:A

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - DDR4

內存大小

8Gb (512M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

1.2GHz

寫周期-字，頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.14V ~ 1.26V

工作溫度

0°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

96-TFBGA

供應商設備包裝

96-FBGA (9x14)
MT40A2G4WE-075E:D TR

Micron Technology Inc.

MT40A2G4WE-075E:D TR

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - DDR4

內存大小

8Gb (2G x 4)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

1.33GHz

寫周期-字，頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.14V ~ 1.26V

工作溫度

0°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

78-TFBGA

供應商設備包裝

78-FBGA (8x12)
MT40A1G8PM-083E:A TR

Micron Technology Inc.

MT40A1G8PM-083E:A TR

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - DDR4

內存大小

8Gb (1G x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

1.2GHz

寫周期-字，頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.14V ~ 1.26V

工作溫度

0°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

78-TFBGA

供應商設備包裝

78-FBGA (9x13.2)
MT40A2G4WE-075E:D

Micron Technology Inc.

MT40A2G4WE-075E:D

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - DDR4

內存大小

8Gb (2G x 4)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

1.33GHz

寫周期-字，頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.14V ~ 1.26V

工作溫度

0°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

78-TFBGA

供應商設備包裝

78-FBGA (8x12)
MT40A1G8PM-083E:A

Micron Technology Inc.

MT40A1G8PM-083E:A

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - DDR4

內存大小

8Gb (1G x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

1.2GHz

寫周期-字，頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.14V ~ 1.26V

工作溫度

0°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

78-TFBGA

供應商設備包裝

78-FBGA (9x13.2)
MT40A1G8WE-083E:B TR

Micron Technology Inc.

MT40A1G8WE-083E:B TR

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - DDR4

內存大小

8Gb (1G x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

1.2GHz

寫周期-字，頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.14V ~ 1.26V

工作溫度

0°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

78-TFBGA

供應商設備包裝

78-FBGA (8x12)
MT40A1G8WE-083E AUT:B TR

Micron Technology Inc.

MT40A1G8WE-083E AUT:B TR

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - DDR4

內存大小

8Gb (1G x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

1.2GHz

寫周期-字，頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.14V ~ 1.26V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

78-TFBGA

供應商設備包裝

78-FBGA (8x12)