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MRF8P26080HSR3

MRF8P26080HSR3

僅供參考

型號 MRF8P26080HSR3
PNEDA編號 MRF8P26080HSR3
描述 FET RF 2CH 65V 2.62GHZ NI780S-4
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 5,526
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 2 - 五月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MRF8P26080HSR3資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MRF8P26080HSR3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF

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MRF8P26080HSR3規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型LDMOS (Dual)
頻率2.62GHz
增益15dB
電壓-測試28V
額定電流(安培)-
噪聲系數-
當前-測試300mA
功率-輸出14W
電壓-額定65V
包裝/箱NI-780S-4
供應商設備包裝NI-780S-4

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NXP USA Inc.

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噪聲系數

-

當前-測試

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-

電壓-額定

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-

頻率

-

增益

-

電壓-測試

-

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

-

功率-輸出

-

電壓-額定

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

LDMOS

頻率

2.11GHz

增益

14.5dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

850mA

功率-輸出

19W

電壓-額定

65V

包裝/箱

NI-780S

供應商設備包裝

NI-780S

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

LDMOS (Dual)

頻率

700MHz ~ 1.3GHz

增益

20.6dB

電壓-測試

50V

額定電流(安培)

10µA

噪聲系數

-

當前-測試

-

功率-輸出

650W

電壓-額定

105V

包裝/箱

SOT-979A

供應商設備包裝

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制造商

NXP USA Inc.

系列

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晶體管類型

LDMOS

頻率

880MHz

增益

21.2dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

1.4A

功率-輸出

58W

電壓-額定

66V

包裝/箱

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供應商設備包裝

NI-880

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