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MRF6V2010GNR1

MRF6V2010GNR1

僅供參考

型號 MRF6V2010GNR1
PNEDA編號 MRF6V2010GNR1
描述 FET RF 110V 220MHZ TO-270G-2
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 8,208
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 25 - 五月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MRF6V2010GNR1資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MRF6V2010GNR1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
MRF6V2010GNR1, MRF6V2010GNR1數據表 (總頁數: 26, 大小: 1,456.06 KB)
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MRF6V2010GNR1規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型LDMOS
頻率220MHz
增益23.9dB
電壓-測試50V
額定電流(安培)-
噪聲系數-
當前-測試30mA
功率-輸出10W
電壓-額定110V
包裝/箱TO-270BA
供應商設備包裝TO-270G-2

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-

當前-測試

25mA

功率-輸出

4W

電壓-額定

65V

包裝/箱

NI-200Z

供應商設備包裝

NI-200Z

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制造商

STMicroelectronics

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增益

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電壓-測試

28V

額定電流(安培)

9A

噪聲系數

-

當前-測試

300mA

功率-輸出

59W

電壓-額定

80V

包裝/箱

M243

供應商設備包裝

M243

2N5245

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制造商

ON Semiconductor

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頻率

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增益

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電壓-測試

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額定電流(安培)

15mA

噪聲系數

-

當前-測試

-

功率-輸出

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30V

包裝/箱

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供應商設備包裝

TO-92-3

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制造商

Infineon Technologies

系列

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晶體管類型

N-Channel

頻率

45MHz

增益

28dB

電壓-測試

8V

額定電流(安培)

30mA

噪聲系數

2.8dB

當前-測試

10mA

功率-輸出

-

電壓-額定

12V

包裝/箱

TO-253-4, TO-253AA

供應商設備包裝

PG-SOT143-4

制造商

NXP USA Inc.

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頻率

880MHz

增益

21dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

1.4A

功率-輸出

58W

電壓-額定

66V

包裝/箱

NI-880S

供應商設備包裝

NI-880S

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