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MRF6V2010GNR5數據表

MRF6V2010GNR5數據表
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NXP
此數據表涵蓋了5零件號: MRF6V2010GNR5, MRF6V2010NBR1, MRF6V2010NBR5, MRF6V2010GNR1, MRF6V2010NR1
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制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

LDMOS

頻率

220MHz

增益

23.9dB

電壓-測試

50V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

30mA

功率-輸出

10W

電壓-額定

110V

包裝/箱

TO-270BA

供應商設備包裝

TO-270G-2

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

LDMOS

頻率

220MHz

增益

23.9dB

電壓-測試

50V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

30mA

功率-輸出

10W

電壓-額定

110V

包裝/箱

TO-272BC

供應商設備包裝

TO-272-2

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

LDMOS

頻率

220MHz

增益

23.9dB

電壓-測試

50V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

30mA

功率-輸出

10W

電壓-額定

110V

包裝/箱

TO-272BC

供應商設備包裝

TO-272-2

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

LDMOS

頻率

220MHz

增益

23.9dB

電壓-測試

50V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

30mA

功率-輸出

10W

電壓-額定

110V

包裝/箱

TO-270BA

供應商設備包裝

TO-270G-2

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

LDMOS

頻率

220MHz

增益

23.9dB

電壓-測試

50V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

30mA

功率-輸出

10W

電壓-額定

110V

包裝/箱

TO-270AA

供應商設備包裝

TO-270-2