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MRF6S18060NBR1

MRF6S18060NBR1

僅供參考

型號 MRF6S18060NBR1
PNEDA編號 MRF6S18060NBR1
描述 FET RF 68V 1.99GHZ TO272-4
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 4,248
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 12 - 五月 17 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MRF6S18060NBR1資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MRF6S18060NBR1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
MRF6S18060NBR1, MRF6S18060NBR1數據表 (總頁數: 21, 大小: 837.87 KB)
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MRF6S18060NBR1規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型LDMOS
頻率1.99GHz
增益15dB
電壓-測試26V
額定電流(安培)-
噪聲系數-
當前-測試600mA
功率-輸出60W
電壓-額定68V
包裝/箱TO-272BB
供應商設備包裝TO-272 WB-4

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電壓-測試

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噪聲系數

1dB

當前-測試

20mA

功率-輸出

8dBm

電壓-額定

5V

包裝/箱

0402 (1005 Metric)

供應商設備包裝

0402

制造商

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系列

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頻率

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增益

14dB

電壓-測試

32V

額定電流(安培)

2.8µA

噪聲系數

-

當前-測試

200mA

功率-輸出

200W

電壓-額定

65V

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-測試

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額定電流(安培)

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噪聲系數

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當前-測試

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功率-輸出

120W

電壓-額定

84V

包裝/箱

440095

供應商設備包裝

440095

制造商

NXP USA Inc.

系列

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晶體管類型

LDMOS

頻率

1.03GHz

增益

19.7dB

電壓-測試

50V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

200mA

功率-輸出

500W

電壓-額定

110V

包裝/箱

NI-780S

供應商設備包裝

NI-780S

制造商

NXP USA Inc.

系列

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晶體管類型

LDMOS

頻率

1.81GHz

增益

18.2dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

800mA

功率-輸出

72W

電壓-額定

65V

包裝/箱

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供應商設備包裝

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