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MRF6V12500HSR5

MRF6V12500HSR5

僅供參考

型號 MRF6V12500HSR5
PNEDA編號 MRF6V12500HSR5
描述 FET RF 110V 1.03GHZ NI-1230H
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 2,286
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 13 - 五月 18 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MRF6V12500HSR5資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MRF6V12500HSR5
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
MRF6V12500HSR5, MRF6V12500HSR5數據表 (總頁數: 18, 大小: 805.2 KB)
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MRF6V12500HSR5規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型LDMOS
頻率1.03GHz
增益19.7dB
電壓-測試50V
額定電流(安培)-
噪聲系數-
當前-測試200mA
功率-輸出500W
電壓-額定110V
包裝/箱NI-780S
供應商設備包裝NI-780S

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電壓-額定

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包裝/箱

SOT-502B

供應商設備包裝

SOT502B

制造商

NXP USA Inc.

系列

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晶體管類型

LDMOS

頻率

2.11GHz ~ 2.17GHz

增益

12.5dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

1.3A

功率-輸出

33W

電壓-額定

65V

包裝/箱

NI-880S

供應商設備包裝

NI-880S

制造商

NXP USA Inc.

系列

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晶體管類型

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頻率

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增益

19.1dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

1.1A

功率-輸出

34W

電壓-額定

65V

包裝/箱

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供應商設備包裝

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STMicroelectronics

制造商

STMicroelectronics

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晶體管類型

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頻率

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增益

16dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

900mA

噪聲系數

-

當前-測試

50mA

功率-輸出

5W

電壓-額定

65V

包裝/箱

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供應商設備包裝

M113

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STMicroelectronics

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增益

17dB

電壓-測試

13.6V

額定電流(安培)

8A

噪聲系數

-

當前-測試

350mA

功率-輸出

15W

電壓-額定

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