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MRF559G

MRF559G

僅供參考

型號 MRF559G
PNEDA編號 MRF559G
描述 RF TRANS NPN 16V 870MHZ MICRO X
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 2,826
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 8 - 五月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MRF559G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MRF559G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
MRF559G, MRF559G數據表 (總頁數: 5, 大小: 136.08 KB)
PDFMRF559G數據表 封面
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MRF559G規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)16V
頻率-過渡870MHz
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益9.5dB
功率-最大2W
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce30 @ 50mA, 10V
當前-集電極(Ic)(最大值)150mA
工作溫度-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱Micro-X ceramic (84C)
供應商設備包裝Micro-X ceramic (84C)

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80 @ 20mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

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安裝類型

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8.4dB

功率-最大

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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制造商

Microsemi Corporation

系列

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

頻率-過渡

1.025GHz ~ 1.15GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

10dB

功率-最大

7.5W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 100mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

M115

供應商設備包裝

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NXP

制造商

NXP USA Inc.

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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