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MMUN2111LT3G

MMUN2111LT3G

僅供參考

型號 MMUN2111LT3G
PNEDA編號 MMUN2111LT3G
描述 TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 190,566
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 3 - 五月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MMUN2111LT3G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MMUN2111LT3G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置
數據表
MMUN2111LT3G, MMUN2111LT3G數據表 (總頁數: 13, 大小: 372.48 KB)
PDFMUN2111T3G數據表 封面
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MMUN2111LT3G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)10 kOhms
電阻-發射極基(R2)10 kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce35 @ 5mA, 10V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)500nA
頻率-過渡-
功率-最大246mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3 (TO-236)

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100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10 kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 1mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

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頻率-過渡

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功率-最大

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

68 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

頻率-過渡

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功率-最大

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電阻-發射極基(R2)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 500µA, 10mA

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