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PDTC114TU,115

PDTC114TU,115

僅供參考

型號 PDTC114TU,115
PNEDA編號 PDTC114TU-115
描述 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 1,019,466
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 27 - 七月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PDTC114TU資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PDTC114TU,115
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置
數據表
PDTC114TU, PDTC114TU數據表 (總頁數: 11, 大小: 581.16 KB)
PDFPDTC114TS數據表 封面
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PDTC114TU規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列-
晶體管類型NPN - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)10 kOhms
電阻-發射極基(R2)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce200 @ 1mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic150mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)1µA
頻率-過渡-
功率-最大200mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-70, SOT-323
供應商設備包裝SC-70

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電阻-基本(R1)

100 kOhms

電阻-發射極基(R2)

100 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA

頻率-過渡

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功率-最大

250mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

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電阻-發射極基(R2)

10 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 50mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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50V

電阻-基本(R1)

100 kOhms

電阻-發射極基(R2)

100 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

82 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

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47 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 10V

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