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MMIX4G20N250

MMIX4G20N250

僅供參考

型號 MMIX4G20N250
PNEDA編號 MMIX4G20N250
描述 MOSFET N-CH
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 3,546
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 28 - 五月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MMIX4G20N250資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MMIX4G20N250
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-陣列
數據表
MMIX4G20N250, MMIX4G20N250數據表 (總頁數: 6, 大小: 244.11 KB)
PDFMMIX4G20N250數據表 封面
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MMIX4G20N250規格

制造商IXYS
系列-
IGBT類型-
配置Full Bridge
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)2500V
當前-集電極(Ic)(最大值)23A
功率-最大100W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic3.1V @ 15V, 20A
當前-集電極截止(最大值)10µA
輸入電容(Cies)@ Vce-
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱24-SMD Module, 9 Leads
供應商設備包裝24-SMPD

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30A

功率-最大

100W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 20A

當前-集電極截止(最大值)

600µA

輸入電容(Cies)@ Vce

1.1nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

i4-Pac™-5

供應商設備包裝

ISOPLUS i4-PAC™

制造商

IXYS

系列

BIMOSFET™

IGBT類型

-

配置

Full Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

3000V

當前-集電極(Ic)(最大值)

34A

功率-最大

150W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.2V @ 15V, 20A

當前-集電極截止(最大值)

-

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

24-SMD Module, 9 Leads

供應商設備包裝

24-SMPD

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PT

配置

Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

63A

功率-最大

230W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.15V @ 15V, 35A

當前-集電極截止(最大值)

150µA

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

9-SMD Module

供應商設備包裝

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制造商

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系列

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IGBT類型

NPT

配置

Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1700V

當前-集電極(Ic)(最大值)

18A

功率-最大

140W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

6V @ 15V, 16A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

輸入電容(Cies)@ Vce

2.4nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

i4-Pac™-5

供應商設備包裝

ISOPLUS i4-PAC™

制造商

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系列

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IGBT類型

PT

配置

Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

43A

功率-最大

150W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 25A

當前-集電極截止(最大值)

2.1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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