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IXA30PG1200DHG-TUB

IXA30PG1200DHG-TUB

僅供參考

型號 IXA30PG1200DHG-TUB
PNEDA編號 IXA30PG1200DHG-TUB
描述 IGBT PHASELEG 1200V 30A SMPD
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 7,002
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 1 - 五月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXA30PG1200DHG-TUB資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXA30PG1200DHG-TUB
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-陣列
數據表
IXA30PG1200DHG-TUB, IXA30PG1200DHG-TUB數據表 (總頁數: 5, 大小: 201.93 KB)
PDFIXA30PG1200DHG-TUB數據表 封面
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IXA30PG1200DHG-TUB規格

制造商IXYS
系列-
IGBT類型PT
配置Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)43A
功率-最大150W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.2V @ 15V, 25A
當前-集電極截止(最大值)2.1mA
輸入電容(Cies)@ Vce-
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱9-SMD Module
供應商設備包裝ISOPLUS-SMPD™.B

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

32A

功率-最大

130W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 15A

當前-集電極截止(最大值)

125µA

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

9-SMD Module

供應商設備包裝

ISOPLUS-SMPD™.B

FII30-06D

IXYS

制造商

IXYS

系列

-

IGBT類型

NPT

配置

Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30A

功率-最大

100W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 20A

當前-集電極截止(最大值)

600µA

輸入電容(Cies)@ Vce

1.1nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

i4-Pac™-5

供應商設備包裝

ISOPLUS i4-PAC™

制造商

IXYS

系列

BIMOSFET™

IGBT類型

-

配置

Full Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

3000V

當前-集電極(Ic)(最大值)

34A

功率-最大

150W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.2V @ 15V, 20A

當前-集電極截止(最大值)

-

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

IXYS

系列

*

IGBT類型

-

配置

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

功率-最大

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

-

NTC熱敏電阻

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

制造商

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

43A

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150W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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-

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