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MJE350STU

MJE350STU

僅供參考

型號 MJE350STU
PNEDA編號 MJE350STU
描述 TRANS PNP 300V 0.5A TO-126
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,132
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 1 - 五月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MJE350STU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MJE350STU
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MJE350STU, MJE350STU數據表 (總頁數: 6, 大小: 155.99 KB)
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MJE350STU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)500mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)300V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic-
當前-集電極截止(最大值)100µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce30 @ 50mA, 10V
功率-最大20W
頻率-過渡-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包裝TO-126-3

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 500mA, 1V

功率-最大

1.75W

頻率-過渡

50MHz

工作溫度

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安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3.5V @ 3A, 7A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 2A, 4V

功率-最大

40W

頻率-過渡

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工作溫度

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安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

1mA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 1A, 5V

功率-最大

40W

頻率-過渡

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當前-集電極截止(最大值)

5mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 1A, 5V

功率-最大

3W

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