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BC848BLT3G

BC848BLT3G BC848BLT3G

僅供參考

型號 BC848BLT3G
PNEDA編號 BC848BLT3G
描述 TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 88,026
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 27 - 五月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BC848BLT3G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BC848BLT3G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
BC848BLT3G, BC848BLT3G數據表 (總頁數: 14, 大小: 228.2 KB)
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BC848BLT3G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)30V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic600mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止(最大值)15nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce200 @ 2mA, 5V
功率-最大300mW
頻率-過渡100MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3 (TO-236)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

-

頻率-過渡

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工作溫度

-

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包裝/箱

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 400mA, 4A

當前-集電極截止(最大值)

20nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1A, 2V

功率-最大

1.2W

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

SOT-23-3

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 2mA, 5V

功率-最大

350mW

頻率-過渡

280MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

50A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

5V @ 10A, 50A

當前-集電極截止(最大值)

5µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 5A, 2V

功率-最大

300W

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 1A, 2V

功率-最大

2.1W

頻率-過渡

120MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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