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MJD45H11T4G

MJD45H11T4G

僅供參考

型號 MJD45H11T4G
PNEDA編號 MJD45H11T4G
描述 TRANS PNP 80V 8A DPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,526
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 19 - 五月 24 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MJD45H11T4G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MJD45H11T4G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MJD45H11T4G, MJD45H11T4G數據表 (總頁數: 9, 大小: 91.46 KB)
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MJD45H11T4G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)8A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)80V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1V @ 400mA, 8A
當前-集電極截止(最大值)1μA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce40 @ 4A, 1V
功率-最大1.75W
頻率-過渡90MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝DPAK

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

530mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 100mA, 5V

功率-最大

600mW

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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Surface Mount

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

150 @ 1A, 2V

功率-最大

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NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 10µA, 5V

功率-最大

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工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

110 @ 2mA, 5V

功率-最大

225mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

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12A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 3A, 12A

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

8 @ 5A, 5V

功率-最大

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