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MB85RE4M2TFN-G-ASE1

MB85RE4M2TFN-G-ASE1

僅供參考

型號 MB85RE4M2TFN-G-ASE1
PNEDA編號 MB85RE4M2TFN-G-ASE1
描述 IC FRAM 4M PARALLEL 44TSOP
制造商 Fujitsu Electronics
單價 請求報價
庫存 7,578
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 13 - 六月 18 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MB85RE4M2TFN-G-ASE1資源

品牌 Fujitsu Electronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MB85RE4M2TFN-G-ASE1
類別半導體內存IC內存
數據表
MB85RE4M2TFN-G-ASE1, MB85RE4M2TFN-G-ASE1數據表 (總頁數: 20, 大小: 603.73 KB)
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MB85RE4M2TFN-G-ASE1規格

制造商Fujitsu Electronics America, Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FRAM
技術FRAM (Ferroelectric RAM)
內存大小4Mb (256K x 16)
內存接口-
時鐘頻率-
寫周期-字,頁150ns
訪問時間-
電壓-供電1.8V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝44-TSOP

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內存格式

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內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

3MHz

寫周期-字,頁

6ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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內存類型

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內存格式

DRAM

技術

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內存大小

64Mb (4M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

Volatile

內存格式

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內存大小

8Gb (256M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

208MHz

寫周期-字,頁

14.4ns

訪問時間

5.0ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-25°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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