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L6392DTR

L6392DTR

僅供參考

型號 L6392DTR
PNEDA編號 L6392DTR
描述 IC DRIVER HV HI/LOW SIDE SOIC-14
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 19,050
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 7 - 五月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

L6392DTR資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號L6392DTR
類別半導體電源管理ICPMIC-柵極驅動器
數據表
L6392DTR, L6392DTR數據表 (總頁數: 20, 大小: 580.62 KB)
PDFL6392DTR數據表 封面
L6392DTR數據表 頁面 2 L6392DTR數據表 頁面 3 L6392DTR數據表 頁面 4 L6392DTR數據表 頁面 5 L6392DTR數據表 頁面 6 L6392DTR數據表 頁面 7 L6392DTR數據表 頁面 8 L6392DTR數據表 頁面 9 L6392DTR數據表 頁面 10 L6392DTR數據表 頁面 11

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L6392DTR規格

制造商STMicroelectronics
系列-
驅動配置Half-Bridge
頻道類型Independent
驅動程序數量2
門類型IGBT, N-Channel MOSFET
電壓-供電12.5V ~ 20V
邏輯電壓-VIL,VIH1.1V, 1.9V
電流-峰值輸出(源極,接收器)290mA, 430mA
輸入類型Non-Inverting
高壓側-最大(自舉)600V
上升/下降時間(典型值)75ns, 35ns
工作溫度-40°C ~ 125°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝14-SO

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系列

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驅動配置

High-Side or Low-Side

頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

8.5V ~ 20V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.7V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

4A, 4A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

200V

上升/下降時間(典型值)

8ns, 7ns

工作溫度

-40°C ~ 140°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

IR2117PBF

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

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驅動配置

High-Side

頻道類型

Single

驅動程序數量

1

門類型

IGBT, N-Channel MOSFET

電壓-供電

10V ~ 20V

邏輯電壓-VIL,VIH

6V, 9.5V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

250mA, 500mA

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

600V

上升/下降時間(典型值)

80ns, 40ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

8-DIP (0.300", 7.62mm)

供應商設備包裝

8-PDIP

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

-

驅動配置

Low-Side

頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

IGBT, N-Channel MOSFET

電壓-供電

6V ~ 20V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.7V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

2.3A, 3.3A

輸入類型

Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

15ns, 10ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

8-DIP (0.300", 7.62mm)

供應商設備包裝

8-PDIP

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Renesas Electronics America Inc.

制造商

Renesas Electronics America Inc.

系列

-

驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

Synchronous

驅動程序數量

4

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

10.8V ~ 13.2V

邏輯電壓-VIL,VIH

-

電流-峰值輸出(源極,接收器)

1.25A, 2A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

36V

上升/下降時間(典型值)

26ns, 18ns

工作溫度

0°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

14-SOIC

IRS2111PBF

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

-

驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

Synchronous

驅動程序數量

2

門類型

IGBT, N-Channel MOSFET

電壓-供電

10V ~ 20V

邏輯電壓-VIL,VIH

8.3V, 12.6V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

290mA, 600mA

輸入類型

Inverting, Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

600V

上升/下降時間(典型值)

75ns, 35ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

8-DIP (0.300", 7.62mm)

供應商設備包裝

8-PDIP

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