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KSP25TA

KSP25TA

僅供參考

型號 KSP25TA
PNEDA編號 KSP25TA
描述 TRANS NPN DARL 40V 0.5A TO-92
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,834
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 17 - 五月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

KSP25TA資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號KSP25TA
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
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KSP25TA規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN - Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)500mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)40V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.5V @ 100µA, 100mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce10000 @ 100mA, 5V
功率-最大625mW
頻率-過渡-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝TO-92-3

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400mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

220 @ 2mA, 5V

功率-最大

150mW

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當前-集電極截止(最大值)

200nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

85 @ 50mA, 1V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

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安裝類型

Through Hole

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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3A

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 300mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

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