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KSC2786RBU

KSC2786RBU

僅供參考

型號 KSC2786RBU
PNEDA編號 KSC2786RBU
描述 RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92S
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,436
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 22 - 五月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

KSC2786RBU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號KSC2786RBU
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
KSC2786RBU, KSC2786RBU數據表 (總頁數: 7, 大小: 72.26 KB)
PDFKSC2786RTA數據表 封面
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KSC2786RBU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)20V
頻率-過渡600MHz
噪聲系數(dB Typ @ f)3dB ~ 5dB @ 100MHz
增益18dB ~ 22dB
功率-最大250mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce40 @ 1mA, 6V
當前-集電極(Ic)(最大值)20mA
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 Short Body
供應商設備包裝TO-92S

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.7dB @ 2GHz

增益

13.5dB

功率-最大

205mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

75 @ 30mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

5dB @ 200MHz

增益

15dB

功率-最大

350mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25 @ 3mA, 1V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

供應商設備包裝

TO-92-3

制造商

CEL

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

6V

頻率-過渡

11GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.15dB @ 1GHz

增益

13.5dB

功率-最大

150mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

85 @ 5mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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