KSC2786RTA數據表
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制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 20V 頻率-過渡 600MHz 噪聲系數（dB Typ @ f） 3dB ~ 5dB @ 100MHz 增益 18dB ~ 22dB 功率-最大 250mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 40 @ 1mA, 6V 當前-集電極（Ic）（最大值） 20mA 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 Short Body 供應商設備包裝 TO-92S |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 20V 頻率-過渡 600MHz 噪聲系數（dB Typ @ f） 3dB ~ 5dB @ 100MHz 增益 18dB ~ 22dB 功率-最大 250mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 120 @ 1mA, 6V 當前-集電極（Ic）（最大值） 20mA 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 Short Body 供應商設備包裝 TO-92S |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 20V 頻率-過渡 600MHz 噪聲系數（dB Typ @ f） 3dB ~ 5dB @ 100MHz 增益 18dB ~ 22dB 功率-最大 250mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 70 @ 1mA, 6V 當前-集電極（Ic）（最大值） 20mA 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 Short Body 供應商設備包裝 TO-92S |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 20V 頻率-過渡 600MHz 噪聲系數（dB Typ @ f） 3dB ~ 5dB @ 100MHz 增益 18dB ~ 22dB 功率-最大 250mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 40 @ 1mA, 6V 當前-集電極（Ic）（最大值） 20mA 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 Short Body 供應商設備包裝 TO-92S |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 20V 頻率-過渡 600MHz 噪聲系數（dB Typ @ f） 3dB ~ 5dB @ 100MHz 增益 18dB ~ 22dB 功率-最大 250mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 70 @ 1mA, 6V 當前-集電極（Ic）（最大值） 20mA 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 Short Body 供應商設備包裝 TO-92S |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 20V 頻率-過渡 600MHz 噪聲系數（dB Typ @ f） 3dB ~ 5dB @ 100MHz 增益 18dB ~ 22dB 功率-最大 250mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 120 @ 1mA, 6V 當前-集電極（Ic）（最大值） 20mA 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 Short Body 供應商設備包裝 TO-92S |
