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KSC2688YSTSSTU

KSC2688YSTSSTU

僅供參考

型號 KSC2688YSTSSTU
PNEDA編號 KSC2688YSTSSTU
描述 TRANS NPN 300V 0.2A TO-126
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,038
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 25 - 五月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

KSC2688YSTSSTU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號KSC2688YSTSSTU
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
KSC2688YSTSSTU, KSC2688YSTSSTU數據表 (總頁數: 4, 大小: 33.15 KB)
PDFKSC2688YS數據表 封面
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KSC2688YSTSSTU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)200mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)300V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.5V @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止(最大值)100µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 10mA, 10V
功率-最大1.25W
頻率-過渡80MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包裝TO-126

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400V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 500mA, 1.5A

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

9 @ 500mA, 2V

功率-最大

1.1W

頻率-過渡

4MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

供應商設備包裝

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 15mA, 150mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 150mA, 10V

功率-最大

5W

頻率-過渡

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安裝類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

200V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 400mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1A, 5V

功率-最大

1.58W

頻率-過渡

110MHz

工作溫度

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

700mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 150mA, 10V

功率-最大

1W

頻率-過渡

55MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1.2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 150mA, 2V

功率-最大

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