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BCP56

BCP56

僅供參考

型號 BCP56
PNEDA編號 BCP56
描述 TRANS NPN 80V 1.2A SOT-223
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,124
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 20 - 七月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BCP56資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BCP56
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
BCP56, BCP56數據表 (總頁數: 6, 大小: 69.1 KB)
PDFBCP56數據表 封面
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BCP56規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)1.2A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)80V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce40 @ 150mA, 2V
功率-最大1W
頻率-過渡-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-261-4, TO-261AA
供應商設備包裝SOT-223-4

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制造商

ON Semiconductor

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 1V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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1.5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 25mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 100mA, 3V

功率-最大

1W

頻率-過渡

340MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Diodes Incorporated

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

4.5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

410mV @ 450mA, 4.5A

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 100mA, 2V

功率-最大

2.4W

頻率-過渡

180MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-243AA

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

-

晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 2mA, 20mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 30mA, 10V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

50MHz

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

350V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 4mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

2µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 20mA, 10V

功率-最大

800mW

頻率-過渡

-

工作溫度

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